我国半导体制作核心技术打破，仅次于光刻的重要环节打破国外独占

IT之家 9 月 11 日音讯，据国家电力出资集团有限公司（以下简称“国家电投”）9 月 10 日音讯，近来，国家电投所属国电投核力创芯（无锡）科技有限公司（以下简称“核力创芯”）暨国家原子能组织核技能（功率芯片质子辐照）研制中心，完结第一批氢离子注入功能优化芯片产品客户交给。

国家电投表明，这标志着我国已全面把握功率半导体高能氢离子注入核心技能和工艺，补全了我国半导体工业链中缺失的重要一环，为半导体离子注入设备和工艺的全面国产代替奠定了根底。

据国家电投介绍，氢离子注入是半导体晶圆制作中仅次于光刻的重要环节，在集成电路、功率半导体、第三代半导体等多种类型半导体产品制作过程中起着要害作用，该范畴核心技能及配备工艺的缺失严峻限制了我国半导体工业的高端化开展，特别是 600V 以上高压功率芯片长时间依靠进口。核力创芯的技能打破，打破了国外独占。

核力创芯在不到三年的时间里，打破多项要害技能壁垒，完成了 100% 自主技能和 100% 配备国产化，建成了我国首个核技能使用和半导体范畴交叉学科研制渠道。第一批交给的芯片产品阅历了累计近万小时的工艺及可靠性测验验证，首要技能指标到达国际先进水平，取得用户高度评价。

IT之家查询得悉，国电投核力创芯（无锡）科技有限公司成立于 2021 年 03 月 09 日，注册地坐落江苏省无锡市，注册资本7022.63 万元。